邱成供應(yīng)Knowles Voltronics電容器KP1SD
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邱成供應(yīng)Knowles Voltronics電容器KP1SD
隨著電子工業(yè)的高速發(fā)展,迫切要求開發(fā)擊穿電壓高、損耗小、體積小、可靠性高的陶瓷電容器。近20多年來,國內(nèi)外研制成功的已經(jīng)廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、激光電源、、彩電、、復(fù)印機、辦公自動化設(shè)備、宇航、航海等方面。
高壓陶瓷電容器的瓷料主要有基和基兩大類。
鈦酸鋇基陶瓷材料具有介電系數(shù)高、交流耐壓特性較好的優(yōu)點,但也有電容變化率隨介質(zhì)溫度升高、絕緣電阻下降等缺點。
鈦酸鍶晶體的為-250℃,在常溫下為結(jié)構(gòu),是順電體,不存在自發(fā)極化現(xiàn)象,在高電壓下鈦酸鍶基陶瓷材料的介電系數(shù)變化小,tgδ及電容變化率小,這些優(yōu)點使其作為介質(zhì)是十分有利的。
(二)制造工藝要點
(1)原料要精選
影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素,除瓷料組成外,優(yōu)化工藝制造、嚴格工藝條件是非常重要的。因此,對原料既要考慮成本又要注意,選擇工業(yè)純原料時,必須注意原料的適用性。
(2)熔塊的制備
的制備質(zhì)量對瓷料的球磨細度和燒成有很大的影響,如熔塊合成溫度偏低,則合成不充分。對后續(xù)工藝不利。如合成料中殘存Ca2+,會阻礙軋膜工藝的進行:如合成溫度偏高,使熔塊過硬,會影響球磨效率:研磨介質(zhì)的雜質(zhì)引入,會降低粉料活性,導(dǎo)致瓷件燒成溫度提高。
(3)成型工藝
成型時要防止厚度方向壓力不均,閉口氣孔過多,若有較大氣孔或?qū)恿旬a(chǎn)生,會影響瓷體的抗電強度。
(4)燒成工藝
應(yīng)嚴格控制燒成制度,采取性能優(yōu)良的控溫設(shè)備及導(dǎo)熱性良好的。
包封料的選擇、包封工藝的控制以及瓷件表面的清潔處理等對電容器的特性影響很大。岡此,必須選擇抗潮性好,與瓷體表面密切結(jié)合的、抗電強度高的包封料。目前,大多選擇,少數(shù)產(chǎn)品也有選用酚醛脂進行包封的。還有采取先絕緣漆涂覆,再用包封方法的,這對降低成本有一定意義。大規(guī)模生產(chǎn)線上多采用粉末包封技術(shù)。
為提高陶瓷電容器的擊穿電壓,在電極與介質(zhì)表面交界邊緣四周涂覆一層釉,可有效地提高電視機等高壓電路中使用的陶瓷電容器的耐壓和高溫負荷性能,如涂有一種硼硅酸鉛玻璃釉,可使該電容器在直流電場下的;蕾穿電壓提高1.4倍;在交流電場下的擊穿電壓提高1.3倍。
常見品牌型號如下:
ETA 型號: 17PLUS-Q02-00
parker 型號: T10L71
megatron-munchen 型號: MP 20 R1K W15% L1%
hydac 型號: 1260891 0060 D 005 BN4HC
hydac 型號: 0040 DN 025 BN4HC s-nr:1265317
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Eltako 型號: R12- 110 24V
hydac 型號: 1260891 0060 D 005 BN4HC
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Eltako 型號: R12- 110 24V
Alemite 型號: 47074
Alemite 型號: 47074
Spieth 型號: MSR30*1.5
Spieth 型號: MSR30*1.5
Beru 型號: 29 050 01 ZE 14-12-300
Beru 型號: 29 050 01 ZE 14-12-300
norelem 型號: 02041-216030
norelem 型號: 02041-216030
hydac 型號: 3343306
KTR 型號: RotexGS9 2.0
SCHNEIDER 型號: XAP-M2503-H29
B&R 型號: X20PS2100
Telemecanique 型號: XS630B1PAL2
KTR 型號: RotexGS9 2.0
B&R 型號: X20PS2100
Telemecanique 型號: XS630B1PAL2
TWIFLEX 型號: 28.08 544/10775
TWIFLEX 型號: 28.08 544/10775
TWIFLEX 型號: TYP MR 10775
TWIFLEX 型號: part-Nr.0780123-Z
TWIFLEX 型號: TYP MR 10775
Phoenix 型號: 1522969
Bartec 型號: u255034 /R300-xxx
Telemecanique 型號: XS630B1PAL2
hydac 型號: ZBE 08S-05
hydac 型號: 0100 S 125 W